IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO...
IGBT倒在热敏电阻上面,装配时会受到不同程度的应力,硅胶壳就起缓冲的作用,而且装配有可能IGBT与热敏电阻的接触会...
IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说,IGBT就是一...
igbt是:绝缘栅双极型晶体管。igbt是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产...
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电...
IGBT的静态传输特性描述集电极电流Ic与栅射电压UGE之间的相互关系,UGE低于开启电压UGE(th)时,IGBT处于关断状态;当UGE大于开启电压UGE(th)时,IGBT开始导通,Ic...
1、IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。2、相对于IGBT而言,IGCT投放市...
集电极电流IC与集射极间电压UCE之间关系的曲线。IGBT的输出特性(亦称伏安特性)是指以栅射电压UGE为参变量时,集电极电流IC与集射极间电压UCE之间关系的曲线。输...
IGBT的静态特性主要包括转移特性和输出特性。IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝...
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控...
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